多乐游戏网:【电子精选】缓冲电路规划办法-KIA MOS管

  由于CSNB 中积储的能量根本不放电，静电容量越大电压尖峰限制作用变好,但运用的电容器的等价串联电感 (ESL) 也有必要考虑到LSNB 中。一般来说，电容器的尺度越大ESL 越大，在挑选静电容量时要注意。

  为了将LTRACE 中积储的能量悉数用CSNB 吸收， 需以算式(2)所示静电电容为依据选定电容。

  CSNB的数值由算式(2)决议，而RSNB 的参考值依据算式(3)求得。

  决议RSNB 之后，以算式(4)核算出RSNB 的耗费功率，选定功率满意规则的要求的电阻。

  关于RC 缓冲电路，算式(4)追加了第二项，由于fSW 或VHVDC越高RSNB 所耗费的电力越大，PSNB 太大导致电阻选定困难时，有必要下降CSNB 的静电容量值从头核算。

  别的，为了RC 缓冲电路充沛吸收电压尖峰，RSNB 和CSNB 的谐振频率ωSNB 有必要比电压尖峰的谐振频率ωSURGE 低许多，需求结合算式(5)所示的RC 缓冲电路的谐振频率ωSNB 来承认。

  放电型RCD 缓冲电路的规划根本上与RC 缓冲电路相同。仅仅由所以经过二极管吸收的尖峰，所以纷歧定要经过算式(5)承认谐振频率。而且，二极管有必要选定为康复电流小的类型。

  非放电型RCD 缓冲电路与放电型RCD 缓冲电路不同，RSNB耗费的电力仅限于电压尖峰的能量，用于按捺容许丢失的RSNB的挑选规模很广。因而能增大CSNB 的静电容量，进步钳位的作用。

  因而，由CSNB 或fsw 发生的耗费功率添加根本没，能挑选大的静电容量的CSNB，不仅仅缓冲电路的钳位作用更好，还能对应fsw 的高频化。

  下图所示为非放电型RCD 缓冲电路动作时的放电途径。由于上臂的尖峰朝向PGND、下臂的尖峰朝向HVdc，放电流经由RSNB 活动，不那么受线路电感影响。

  另一方面，连接到MOSFET 的漏极源极之间的布线电感LSNB 由于电流改变大，电感值需求尽可能小。